Samsung desarrolla con éxito la primera DRAM DDR 5 en 12 nm del mercado y promete combinar mayor potencia con una mejor eficiencia
Samsung Electronics ha anunciado el desarrollo de la primera DRAM DDR5 (Dynamic Random-Acces Memory) de 16 gigabits construida en un proceso de 12 nanómetros de la industria, así la finalización del producto para su compatibilidad con AMD.
En la nota que distribuyó la compañía de las tres estrellas se pone el acento en el rendimiento y eficiencia energética obtenidos por la nueva DRAM, que será la base para operaciones más sostenibles en áreas como informática de última generación, centros de datos o sistemas impulsados por IA.
Samsung es una de las empresas punteras en el mercado de semiconductores y esta nueva DRAM es un buen ejemplo del por qué de este liderazgo
El resultado es un aumento de potencia combinado con una notable mayor eficiencia energética, tasada en un ahorro energético del 23% con respecto a la DRAM anterior, convirtiéndose por tanto en una alternativa ideal para aquellas empresas que más comprometidas con el medio ambiente.
Samsung ya estaría planificando para 2023 la producción en masa esta nueva DRAM de 12 nm, Para más información, no dudes en visitar la página de Samsung.
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