Samsung, en un avance tecnológico, ha anunciado que está un paso más cerca de lanzar al mercado sus chips de memoria GDDR7, tras completar el desarrollo de estos innovadores componentes a mediados de 2023. La noticia llega después de que el Consejo Conjunto de Ingeniería de Tubos de Electrones (JEDEC) publicara las especificaciones finales de esta memoria de próxima generación.
Compitiendo con Micron y SK Hynix, Samsung se prepara para liderar el mercado con sus chips GDDR7, que prometen un rendimiento sobresaliente con velocidades de transferencia de datos de hasta 192 GB/s por dispositivo. La compañía ha confirmado que planea lanzar chips de memoria GDDR7 de 32 Gbps antes de finales de 2024, ofreciendo un rendimiento 1,6 veces mayor y una mayor fiabilidad para aplicaciones de inteligencia artificial, juegos de alta gama y computación de alto rendimiento (HPC).
Samsung ha logrado establecerse como pionero en el desarrollo de GDDR7 SGRAM, alcanzando un ancho de banda récord de hasta 1,5 TBps, superando en un 40% la tecnología GDDR6. Estos chips de memoria, que utilizan la señalización PAM3 (Modulación de Amplitud de Pulsos), ofrecen una velocidad por pin de 32 Gbps, lo que representa un aumento del 50% en el rendimiento de datos en el mismo ciclo de señalización.
Se espera que tanto AMD como Nvidia adopten estos chips de memoria ultrarrápidos en sus próximas GPU. Rumores indican que las GPU de la serie RTX 5000 de Nvidia podrían incorporar chips GDDR7 para un mayor rendimiento, con un posible lanzamiento a finales de este año. Por su parte, se espera que AMD utilice los chips GDDR7 en sus GPU de la serie Radeon RX 8000, equipadas con la arquitectura RDNA 4.
YongCheol Bae, vicepresidente ejecutivo y jefe de planificación de productos de memoria de Samsung, decía lo siguiente:
La IA, la HPC y los juegos de alta gama exigen memoria de alto rendimiento para procesar datos a velocidades sin precedentes. GDDR7 de 32 Gbps logrará un rendimiento 1,6 veces mayor con la mayor fiabilidad y rentabilidad
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